Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

総合得点

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

総合得点

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

考慮すべき理由
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

44 53

周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

6 19.4

テスト平均値

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

考慮すべき理由
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

9.0 1,892.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

44 53
読み出し速度、GB/s

6,181.5 19.4
書き込み速度、GB/秒

1,892.9 9.0
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

851 2316

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G