RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K531R8-MIN 4GB 考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 35
    周辺 20% 低遅延
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2445 left arrow 2768

Kingston K531R8-MIN 4GB RAMの比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
メモリRAM