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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
総合得点
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
60
周辺 -150% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
5.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
14900
周辺 1.29 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
24
読み出し速度、GB/s
6.8
16.0
書き込み速度、GB/秒
5.4
10.8
メモリ帯域幅、mbps
14900
19200
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
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