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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
60
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
24
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
10.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
2731
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparações de RAM
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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