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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
60
左右 -150% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
24
读取速度,GB/s
6.8
16.0
写入速度,GB/s
5.4
10.8
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2731
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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