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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
総合得点
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
9.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.9
7.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
37
読み出し速度、GB/s
18.2
9.5
書き込み速度、GB/秒
14.9
7.7
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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