RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
9.5
Скорость записи, Гб/сек
14.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
1949
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link