RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3501
1949
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link