RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 45
    周辺 36% 低遅延
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 4.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    8.3 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.5 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1196 left arrow 2079

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB RAMの比較

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM