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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

総合得点
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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 45
    周辺 36% 低遅延
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 4.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    8.3 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.5 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1196 left arrow 2079

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