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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
総合得点
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
37
周辺 19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
15.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
13.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
37
読み出し速度、GB/s
16.8
15.8
書き込み速度、GB/秒
14.3
13.5
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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