RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
14.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3527
3075
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link