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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
14.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3527
3075
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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