RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 29
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.6 left arrow 10.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    10.5 left arrow 20.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1425 left arrow 3819

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAMの比較

Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
メモリRAM