RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3819
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link