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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
相違点
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考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
40
周辺 -43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
28
読み出し速度、GB/s
13.6
13.8
書き込み速度、GB/秒
8.3
10.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2035
2179
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