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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.9
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 1920

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