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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
12.9
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
7.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
28
読み出し速度、GB/s
12.9
11.8
書き込み速度、GB/秒
9.0
7.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
1920
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