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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
1920
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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