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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.9 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.9 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2112 left arrow 1920

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Memoria RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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Memoria RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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Memoria RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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Memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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Memoria RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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