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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
比較する
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17500
17000
周辺 1.03% 高帯域
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
52
周辺 -86% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
8.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
28
読み出し速度、GB/s
10.2
18.5
書き込み速度、GB/秒
8.2
15.7
メモリ帯域幅、mbps
17500
17000
Other
商品説明
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2319
3601
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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