RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17500
17000
Rund um 1.03% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.7
Speicherbandbreite, mbps
17500
17000
Other
Beschreibung
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2319
3601
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link