RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
15.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
51
周辺 -38% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
37
読み出し速度、GB/s
15.6
15.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
12.5
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link