RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
51
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link