RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link