RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
92
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3700
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link