RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
53
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
10.2
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2124
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link