RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
51
周辺 -122% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
23
読み出し速度、GB/s
15.6
17.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.2
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
3171
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link