RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3171
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link