RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3171
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link