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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

総合得点
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 41
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.7
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    15.8 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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