RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2126
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link