RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2854
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link