Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

46 71

Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

2 15.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

6.4 1,519.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 3200

Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

241 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns