Confronto tra le RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

46 71

Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

2 15.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

6.4 1,519.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 3200

Intorno 6.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

241 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns