Comparaison de la RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Note globale

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

46 71

Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

2 15.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

6.4 1,519.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 3200

Autour de 6.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

241 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns