RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2764
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link