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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2764
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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