RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2711
2126
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link