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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
総合得点
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
総合得点
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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仕様
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考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
46
周辺 9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.5
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
46
読み出し速度、GB/s
13.5
12.0
書き込み速度、GB/秒
8.3
7.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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