Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

総合得点
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 63
    周辺 -85% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 5.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    7.7 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.0 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1130 left arrow 2319
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