Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Pontuação geral
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 63
    Por volta de -85% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.1 left arrow 7.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.5 left arrow 5.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    63 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    7.7 left arrow 11.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.0 left arrow 9.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1130 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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