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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 37
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 12800
    周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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