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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
総合得点
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
総合得点
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
19
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
92
周辺 -360% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
1,266.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
92
20
読み出し速度、GB/s
2,105.4
19.0
書き込み速度、GB/秒
1,266.1
15.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
339
2939
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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