RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
92
Wokół strony -360% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2939
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link