RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.7
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 92
    周辺 -188% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 3247

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
メモリRAM