RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
92
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
32
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3247
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link