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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
総合得点
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
総合得点
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.8
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
92
周辺 -188% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
1,266.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
92
32
読み出し速度、GB/s
2,105.4
16.8
書き込み速度、GB/秒
1,266.1
12.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
339
2641
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641152 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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