RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
92
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2641
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link