RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

総合得点
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
バグを報告する
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    14 left arrow 27
    周辺 -93% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    26.4 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.8 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 14
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 26.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 19.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2083 left arrow 4362

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
メモリRAM