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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    14 left arrow 27
    左右 -93% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    26.4 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    19.8 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 14
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 26.4
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 19.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2083 left arrow 4362

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较

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