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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

総合得点
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
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Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.7
    テスト平均値
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB 考慮すべき理由
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 54
    周辺 -86% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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